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相變化記憶體 ─操作原理類似光碟片

工商時報   / 涂志豪

相變化記憶體(Phase Change Memory,PCM)與一般快閃記憶體同是非揮發性記憶體(Non-volatile),但不同之處在於資料儲存與讀取原理。相變化記憶體操作原理與光碟片非常相似,都是利用所謂的硫化合物如鍺(Ge)、銻(Sb)、碲(Te)等作為記憶核心,透過熱能的轉變,讓材料在結晶狀態與非結晶狀態間不停的轉換。 在光碟系統中是利用雷射光來提供熱能來源,藉由結晶與否狀態對於光的反射率不同,來分辨所紀錄的內容為何,在相變化記憶體中主要是透過電流,透過加熱電極來提供結晶狀態改變所需要的熱能。此外,相變化記憶體操作是利用結晶與否狀態的電流導通阻值的不同,來紀錄數位資料一與○資料,並由不同組合讀出不同資料內容。 目前相變化記憶體研發陣容相對上規模較小,但英特爾、意法半導體、IBM都是此一技術最大支持者,三星電子也於今年加入此一陣容,所以業界認為相變化記憶體可望在大廠支持下,成為次世代記憶體主流規格之一,當然國內四大DRAM廠與工研院合作研發相關技術,亦是著眼於此一新記憶體市場未來成長潛力。 更多新聞請看「 工商時報

資料來源 摘自:全球華文行銷知識庫

資料來源 :1758網誌

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